Samsung начала поставки асинхронной NAND

Флэш-память NAND продолжает эволюционировать – компания Samsung начала поставки многоуровневых (MLC) чипов NAND с поддержкой асинхронной передачи данных по принципу DDR (Double Data Rare) на основе 30-нанометрового техпроцесса. При помощи DDR разработчикам конечных носителей на основе флэш-памяти удастся достигнуть повышенной скорости работы без повышения энергопотребления. Чипы DDR NAND будут использоваться в компактных устройствах, которым необходимы большие объемы памяти и высокая производительность – винчестерах SSD, картах SD для смартфонов и других. Новый стандарт при совмещении с 30-нанометровым техпроцессом позволяет достичь 300-процентного превосходства над SDR NAND (60 Мбит/с против 17 Мбит/). Первые готовые продукты с использованием DDR NAND появятся позже.