Гибридный SSD компании Samsung использует DDR NAND

На рынке накопителей на основе флэш-памяти новый тренд — компания Samsung представила 512-гигабайтный SSD на основе необычной для подобного класса устройств памяти DDR NAND с поддержкой переключения режимов. Накопитель обеспечивает скорости чтения и записи на уровне 250/220 Мб/с соответственно, при этом сами 30-нанометровые 32-гигабитные чипы могут работать при напряжении 1,8 или 3,3 В в зависимости от интенсивности запросов. Для управления винчестером Samsung создала некий весьма продвинутый контроллер, который и будет отвечать за переключение режимов работы. Накопители поддерживают 256-битное AES-шифрование, функцию TRIM для стабильной работы даже по прошествии времени. Новые SSD появятся в продаже в следующем месяце, однако в первую очередь они предназначены для сборщиков готовых систем.