ReRAM может заменить NAND-флэш в недалеком будущем

Пока неизвестная аббревиатура ReRAM (Resistive RAM) может стать спасителем высокоскоростных систем хранения данных уже в не слишком отдаленном будущем. И даже больше. В данный момент группа ученых из University College London уже произвела первые пластины с чипами ReRAM на основе кремния.

Новая структура обладает рядом важных преимуществ над памятью NAND. Небольшая справка: резистивная RAM обычно строится на основе оксидов различных металлов, электрическое сопротивление которых изменяется под действием электричества. Память обещает многократно увеличить объем самых обычных USB-накопителей, многократно увеличить производительность, при этом снизить стоимость производства и уменьшить занимаемую чипами площадь. Если более конкретно, ReRAM обещает в сто раз большую скорость работы по сравнению с некой «обычной памятью NAND». Пластина с чипами, созданная в University College London, полностью сделана из оксида кремния, что позволяет увеличить надежность, сопротивление, при этом для работы такой памяти не требуется вакуум (что на простом языке означает «дешевле»).

Еще одна важная дополнительная особенность ReRAM — чипы умеют изменять проводимость, выступать в роли вычислительных блоков. Получается, в будущем производители смогут создавать единые блоки, которые смогут хранить данные и выполнять вычисления одновременно! Ученые надеются, что в дальнейшем оксидные технологии позволят создавать полноценные процессоры.

Ну а пока компании уже приступили к производству прозрачных чипов памяти на основе ReRAM. Говорят, технологию будут использовать производители всевозможных устройств Elpida, Sharp и Panasonic. Высокоумный отчет о создании пластины опубликован на сайте с говорящим названием Phys.org — все те, кто знаком с английским языком не понаслышке, могут пройти по этой ссылке и поупражняться в знаниях.