SK Hynix показала модуль памяти DDR4 на 128 ГБ

Компания SK Hynix продемонстрировала первый модуль оперативной памяти DDR4 , объем которого составляет 128 ГБ. Новинка построена на базе микросхем плотностью 8 Гбит с многослойной компоновкой, выпускаемых по 20-нм техпроцессу.

Сообщается, что рабочее напряжение составляет 1,2 В, частота — 2133 МГц, разрядность шины — 64 бита, пропускная способность — 17 ГБ/с. Модули памяти ориентированы на серверное использование, а массовое их производство намечено на первую половину следующего года. Если верить прогнозам аналитиков, в 2016 году DDR4 должна стать доминирующим стандартом реализуемой оперативной памяти.