Март 2017
12345678910111213141516171819202122232425262728293031

SK Hynix показала модуль памяти DDR4 на 128 ГБ

Новинка построена на базе микросхем плотностью 8 Гбит с многослойной компоновкой, выпускаемых по 20-нм техпроцессу.
09.04.2014 10:55  | 
SK Hynix показала модуль памяти DDR4 на 128 ГБ
SK Hynix показала модуль памяти DDR4 на 128 ГБ

Компания SK Hynix продемонстрировала первый модуль оперативной памяти DDR4, объем которого составляет 128 ГБ. Новинка построена на базе микросхем плотностью 8 Гбит с многослойной компоновкой, выпускаемых по 20-нм техпроцессу.

Сообщается, что рабочее напряжение составляет 1,2 В, частота — 2133 МГц, разрядность шины — 64 бита, пропускная способность — 17 ГБ/с. Модули памяти ориентированы на серверное использование, а массовое их производство намечено на первую половину следующего года. Если верить прогнозам аналитиков, в 2016 году DDR4 должна стать доминирующим стандартом реализуемой оперативной памяти.

Железные новости
Комментарии
Загрузка комментариев