70 нм от Samsung

Корейская компания Samsung, являющаяся лидером по производству памяти типа DRAM (Dynamic Random Access Memory), объявила о внедрении нового технического процесса. Завершена разработка 512 Мбайт модуля DDR2 с применением 70 нм.

70 нм продолжают хронологию технических процессов памяти от Samsung – данная спецификация пришла на смену 80 и 90 нм. Представители корейской компании заявляют, что теперь с одной кремниевой пластины можно будет получить на 100% больше чипов (в сравнении с 90 нм). Samsung планирует продолжить агрессивное завоевание рынка памяти при помощи своевременного внедрения новых технологических процессов. Память DDR2 с применением 70 нм появится в продаже ближе ко второй половине 2006 года.