Официально о 45 нм

45 нм производственная технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.

Микросхема статической памяти, изготовленная по 45 нм производственной технологии, содержит более 1 миллиарда транзисторов. Несмотря на то, что устройство не является конечной продукцией, оно демонстрирует эффективность технологии, работоспособность процесса и надежность микросхем в преддверии выпуска процессоров и других интегральных микросхем по 45 нм производственной технологии. Это первый и очень важный шаг в направлении организации массового производства самых сложных электронных устройств в мире.

Ранее корпорация Intel объявила о том, что кроме фабрики D1D в штате Орегон, где были проведены начальные работы по развертыванию 45 нм производственного процесса, строятся еще две фабрики по массовому производству микросхем по 45 нм производственной технологии: Fab 32 в штате Аризона и Fab 28 в Израиле.