Больше памяти в одном чипе

Компания Samsung перешла на 60 нм техпроцесс для производства чипов флэш-памяти OneNAND с объемом 2 Гбайт. Всего четыре месяца назад появились 70 нм 1 Гбайт чипы, но их оказалось мало и корейский производитель уже движется вперед. Благодаря большей плотности новых чипов Samsung удалось увеличить скорость записи с 9,3 Мбайт/с до 17 Мбайт/с. Скорость чтения составляет порядка 108 Мбайт/с и может быть увеличена до 136 Мбайт/с, когда несколько чипов работают вместе. Со слов представителя компании, новые чипы будут использоваться в будущих гибридных и SSD жестких дисках, а также на материнских платах с технологией Intel Robson.