Март 2017
12345678910111213141516171819202122232425262728293031

Магниторезистивная память

Компания Freescale Semiconductor представила первые коммерческие модули магниторезистивной памяти (MRAM). Подобная память может быть использована в будущих приложениях, которые потребуют высокую скорость и статичность данных. Модулям MR2A16A можно найти п
12.07.2006 02:24  | 
Магниторезистивная память
Магниторезистивная память
Компания Freescale Semiconductor представила первые коммерческие модули магниторезистивной памяти (MRAM). Подобная память может быть использована в будущих приложениях, которые потребуют высокую скорость и статичность данных. Модулям MR2A16A можно найти применение в современных коммерческих приложениях – сетях, системах защиты, хранении данных и т.д. MRAM разрабатывалась, как замена зависимой от питания SRAM. MR2A16A работает при напряжении 3,3 В и обеспечивает 35 нс скорость чтения/записи. Устройство упаковано в TSOP type-II RoHS и производится на мощностях Freescale.
Железные новости
Комментарии
Загрузка комментариев