Гроза NOR-флэш

Инженеры Samsung не один год бились над созданием первого чипа памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory), и вот — наконец! — все старания увенчались успехом. Южнокорейская компания представила рабочий прототип 512-Мбит чипа флэш-памяти нового стандарта. Основными преимуществами PRAM являются завидная надежность, долговечность и высокая скорость записи. PRAM появятся на рынке в начале 2008 года, а уже в 2010 они вытеснит с рынка память NOR-флэш. Первыми память примерят мобильные телефоны, КПК и медиаплееры.