Будущее флэш-памяти

На смену флэш-памяти NAND и NOR в недалеком будущем придет память PRAM (Phase-Change Random Access Memory). PRAM вобрала в себя лучшее, чем могли похвастаться разные типы RAM-памяти. Так, скорость записи/чтения PRAM в 500 раз превосходит аналогичные параметры флэш-памяти. PRAM также, значительно менее прожорлива, чем флэш. PRAM использует новый материал, разработанный IBM. Со слов разработчика, этот материал состоит из сложного слоя полупроводников, который может быстро менять свои состояния. Полный переход на новый тип памяти может состояться в течение следующего десятилетия.