Март 2017
12345678910111213141516171819202122232425262728293031

Новый метод построения памяти от Samsung

Корейская компания Samsung анонсировала инновационный метод производства чипов оперативной памяти на основе стэковой структуры. Новая упаковка состоит из четырех модулей DDR2 DRAM по 512 Мб. Таким образом, комбинированная емкость памяти составляет 2 Гб. С
25.04.2007 01:05  | 
Новый метод построения памяти от Samsung
Новый метод построения памяти от Samsung
Корейская компания Samsung анонсировала инновационный метод производства чипов оперативной памяти на основе стэковой структуры. Новая упаковка состоит из четырех модулей DDR2 DRAM по 512 Мб. Таким образом, комбинированная емкость памяти составляет 2 Гб. С использованием нового метода Samsung сможет производить даже 4-гигабайтные модули памяти, индустрия давно ждет подобного хода. Метод Samsung позволяет избавиться от необходимости оставлять пространство между чипами памяти (в этих местах пролегают соединительные каналы), что сильно экономит место на кремниевом текстолите. Модули памяти, произведенные с применением нового метода появятся в 2010 году.
Железные новости
Комментарии
Загрузка комментариев