DDR3 скоро выйдет в свет

Небуферизированные модули DDR3-памяти Hynix получили “добро” от Intel и уверенной поступью зашагили в народ. Планки емкостью 1 и 2 Гб будут работать на скоростях 800 и 1066 МГц при напряжении 1,5 В. Уже в третьем квартале стартует выпуск 1 Гб DDR3-чипов с использованием норм 80 нм техпроцесса, хотя массовый переход на новый тип памяти произойдет лишь в 2010 году.