Micron и Intel представили флэш-память 3D NAND

Компании Micron и Intel выпустили флэш-память 3D NAND с объемной компоновкой, позволяющей увеличить плотность записи в три раза. В основе технологии лежит использование ячеек с плавающим затвором. За счет трехмерной компоновки размеры отдельных ячеек могут быть увеличены, что должно положительно сказаться на энергопотреблении, производительности и сроке службы. Кроме того, переход на новую технологию подтверждает эффективность закона Мура в отношении флэш-памяти.

На практике память 3D NAND позволит создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки и объемом 3,5 ТБ, а также уместить 10 ТБ в 2,5-дюймовый формфактор SSD. Компании уже продемонстрировали кремниевые пластины с 32-слойными чипами: плотность чипа типа MLC NAND равна 256 Гбит, а TLC NAND — 384 Гбит. Тестовые поставки памяти уже начались, а серийное производство намечено на IV квартал этого года.