NAND-прорыв Samsung

Компания Samsung произвела первый в мире 30-нанометровый 64-гигабитный чип флэш-памяти NAND. В ближайшем будущем стоит ожидать сильное увеличение объемов соответствующих носителей, ведь для создания 128-гигабайтного хранилища понадобится всего 16 новых чи
0
25.10.2007 09:19  | 
NAND-прорыв Samsung
NAND-прорыв Samsung

Компания Samsung произвела первый в мире 30-нанометровый 64-гигабитный чип флэш-памяти NAND. В ближайшем будущем стоит ожидать сильное увеличение объемов соответствующих носителей, ведь для создания 128-гигабайтного хранилища понадобится всего 16 новых чипов. Новый техпроцесс обычно позволяет снизить цену и затраты на производство, уже к 2009 году носители на основе флэш-памяти смогут немного потеснить классические винчестеры. Именно на 2009-й назначено массовое производство 30-нанометровых чипов.

Железные новости
Хотите скрыть партнерские блоки? Авторизуйтесь и читайте материалы не отвлекаясь.
Комментарии
Загрузка комментариев