Samsung и Qualcomm рассказали о чипе Snapdragon 835

Компании Samsung и Qualcommпредставили процессор для мобильных устройств Snapdragon 835 , который будет производиться по 10-нанометровой технологии FinFET. По сравнению с нынешними чипами Qualcomm, выпускающимися по 14-нанометровым нормам, новинка будет отличаться большей производительностью (+27%) и меньшим энергопотреблением (-40%).

Детальные технические характеристики чипа пока не приводятся. Особенностью Qualcomm Snapdragon 835 стала поддержка технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Всего пять минут зарядки аккумулятора обеспечат пять часов работы, а зарядка батареи среднестатистического смартфона до 50% займет пятнадцать минут. Производитель отметил, что эти значения указаны для мобильных устройств с аккумулятором емкостью 2750 мА·ч.

Смартфоны на базе Qualcomm Snapdragon 835 появятся в первой половине 2017 года.