Флэш-память Samsung Z-NAND составит конкуренцию 3D XPoint

Компания Samsungопубликовала технические характеристики твердотельного накопителя SZ985 с памятью Z-NAND , который должен составить конкуренцию Intel Optane ( 3D XPoint ). Объём SSD достигает 800 ГБ, и его можно противопоставить недавно анонсированной модели DC P4800X на 750 ГБ.

В каждой ячейке Z-NAND хранится один бит информации (SLC), что позволяет добиться высокой производительности. Максимальная последовательная скорость передачи данных составляет 3,2 ГБ/с, а производительность при операциях чтения и записи со случайным доступом блоками по 4 КБ равна 750 тысяч и 170 тысяч IOPS соответственно. Для сравнения, показатели Optane P4800X достигают 2,4 ГБ/с (2 ГБ/с при записи) и 550 тысяч IOPS (в обоих случаях) соответственно.

Кроме того, Samsung удалось существенно уменьшить задержки Z-NAND по сравнению с обычной NAND-памятью. По этому показателю Z-NAND (12–20 мкс при чтении и 10 мкс при записи) удалось приблизиться к Optane (10 мкс при чтении и 10 мкс при записи) и существенно обойти MLC-память (в среднем 125 мкс при чтении и 25 мкс при записи).

Samsung утверждает, что SZ985 рассчитан на 30 полных перезаписей в день в течение пяти лет. О цене накопителя пока не сообщается.