Samsung начала выпуск памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит

Компания Samsungобъявила о начале серийного производства первых в мире микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит. Чипы выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса (диапазон от 10 до 19 нм) и предназначены для использования в графических картах, автомобилях и системах искусственного интеллекта.

Чипы работают при напряжении 1,35 В, что обеспечивает на 30–35% меньшее энергопотребление по сравнению с памятью GDDR5. Пропускная способность 18 Гбит/с на контакт позволяет передавать данные со скоростью 72 ГБ/с — вдвое быстрее, чем память GDDR5.

На прошлой неделе Samsung начала серийное производство микросхем памяти HBM2 второго поколения Aquabolt объёмом 8 ГБ.