SK Hynix начала разработку памяти DDR6

Оперативная память DDR5 ещё не вышла на потребительский и корпоративный рынки, а южнокорейская компания SK Hynix уже проектирует следующее поколение ОЗУ. Как ожидается, новый стандарт DDR6 обеспечит скорость передачи до 12 Гбит/сек.

Сообщается, что на разработку уйдёт пять-шесть лет, так что раньше 2025 года готовых изделий ждать не стоит. Как заявил анонимный сотрудник SK Hynix, речь идёт не просто о наращивании пропускной способности, но и об объединении технологий DRAM с технологиями однокристальных систем, таких как CPU. Иначе говоря, это вариант чиплетов, которые уже показали Intel и AMD.

В ноябре компания уже показала 16-гигабитные микросхемы DDR5, их производство стартует в 2020 году. На базе новых микросхем, как ожидается, появятся планки памяти по 16 ГБ с частотой 5200 МГц и большей высотой.

В целом, наблюдается тенденция к наращиванию количества модулей оперативной памяти, хотя некоторые материнские платы уже поддерживают до 128 ГБ. Серверные же решения могут работать с куда более высокими объёмами.