Intel готова к массовому производству нового типа оперативной памяти

Корпорация Intel готова запустить массовое производство магниторезистивной оперативной памяти STT-MRAM по техпроцессу FinFET с размером транзистора в 22 нанометра. В компании собираются встраивать новую память в разные устройства, в том числе в системы для «интернета вещей».

STT-MRAM считается одной из самых перспективных замен традиционных видов памяти DRAM и NAND. При этом она объединяет в себе их преимущества, сочетая энергонезависимость, высокую скорость обмена данными, устойчивость к высоким температурам и так далее. Отмечается, что память такого типа способна хранить данные на протяжении десяти лет при температуре 200°C. А каждая ячейка памяти выдерживает более миллиона циклов переключения.

Наконец, по данным профильных СМИ, MRAM-память производства Intel демонстрирует очень низкий показатель брака. При технологии в 22 нанометра процент годных ячеек превышает 99,9%.

Пока что в компании не уточняют сроки выхода коммерческих версий модулей памяти. Также неясно, в каком форм-факторе они будут выполнены, какие планируется использовать интерфейсы подключения и так далее. Неизвестной остаётся и стоимость за ГБ.