Март 2017
12345678910111213141516171819202122232425262728293031

Samsung представила 4-гигабитный DRAM

50-нанометровый техпроцесс позволил компании Samsung выпустить чип памяти DDR3 емкостью 4 Гбит. Экономичная разработка будет использоваться в дата-центрах в составе мощных серверов. Чип позволит создать модули оперативной памяти емкостью 16 Гб (двойные мо
30.01.2009 12:34  | 
Samsung представила 4-гигабитный DRAM
Samsung представила 4-гигабитный DRAM

50-нанометровый техпроцесс позволил компании Samsung выпустить чип памяти DDR3 емкостью 4 Гбит. Экономичная разработка будет использоваться в дата-центрах в составе мощных серверов. Чип позволит создать модули оперативной памяти емкостью 16 Гб (двойные модули) и 8 Гб (не буферизованная). Samsung очень гордится своей разработкой, но не называет возможную цену конечных продуктов. С другой стороны, обычным пользователям домашних компьютеров подобные модули вряд ли понадобятся в ближайшем будущем.

Железные новости
Комментарии
Загрузка комментариев