Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND

Компания Toshiba Memory сообщила о начале выпуска новой памяти для твердотельных устройств XL-FLASH. Это флэш-память BiCS FLASH 3D , в которой каждая ячейка хранит один бит. Новинка отличается низкими задержками и высокой производительностью. Первые образцы поступят партнёрам компании в сентябре, а массовое производство стартует в будущем году.

Как отмечается, XL-FLASH превосходит обычную флэш-память NAND по производительности и вроде бы устраняет разрыв между NAND и DRAM. Дело в том, что первый тип дешевле, но медленнее оперативной. XL-FLASH же располагается между ними, в том числе по уровню цены.

Новая память базируется на кристаллах плотностью 128 Гбит, а микросхема может включать два, четыре или восемь кристаллов. Предполагается, что первыми накопителями с новой памятью станут SSD, но затем могут появиться и NVDIMM — модули, подключённые к шине DRAM.

Что касается известных параметров, то новинке приписывают размер страницы в 4 КБ (это повышает скорость чтения и записи), а также задержку не более 5 микросекунд, что на порядок меньше, чем у TLC NAND. Правда, количество циклов перезаписи пока не уточняется, а это весьма важный параметр для флэш-памяти.

Напомним, что ранее Intel представила универсальные модули памяти Optane DC для серверов. Они позиционируются в качестве гибридных решений для дата-центров и сочетают в себе преимущества модулей ОЗУ и твердотельной памяти.