SK Hynix анонсировала память HBM2E с рекордной пропускной способностью

Компания SK Hynix сообщила о том, что разработала микросхемы памяти HBM2E , вдвое более ёмкие и в полтора раза быстрее, чем HBM2. Микросхемы этой памяти основаны на восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоях. Скорость обмена данными составляет 460 ГБ/сек (при наличии 1024-битного интерфейса). Начало производства запланировано на 2020 год.

Как отмечается, такая память должна будет использоваться в системах искусственного интеллекта и машинного обучения, ресурсоёмких вычислениях и топовых графических ускорителях. Как утверждается, карты такого типа получат до 64 ГБ vRAM с пропускной способностью в 1840 ГБ/с. Очевидно, что такие ресурсы потребуются и в системах виртуальной реальности.

Напомним, что в начале года компания принялась за разработку ещё и оперативной памяти нового типа. Речь идёт о DDR6, хотя пока на рынке не появилась ещё и DDR5. Производство тоже запланировано на 2020 год.

Таким образом, можно ожидать резкого ускорения компьютеров, систем виртуальной реальности и искусственного интеллекта. Хотя это потребует разработки и новых процессоров. А что вы думаете о новой видеопамяти Hynix? Пишите в комментариях.