Samsung начала производство гибридной памяти

Компания Samsung анонсировала начало 40-нанометрового производства гибридных 8-гигабитных чипов памяти Flex-OneNAND с одноуровневой и многоуровневой NAND в одной экономичной упаковке. Разработчики называют ее идеальным решением для задач, где нужна высокая надежность и скорость обработки. 40-нанометровое производство и переход на 8 Гбит позволит Samsung увеличить продуктивность на 180% по сравнению с существующим 60-нанометровым процессом и 4 Гбит. В числе продуктов, которые смогут задействовать новые чипы Flex-OneNAND, значатся высокопроизводительные смартфоны, HD-телевизоры, IPTV и другие устройства.