Goke Microelectronics анонсировала SSD NVMe на основе памяти Toshiba XL-Flash

Goke Microelectronics , ведущая компания в отрасли поставщиков контроллеров для SSD и решений для хранения данных, представила серию накопителей NVMe с крайне малой латентностью на основе памяти Toshiba XL-Flash. Её презентовали в августе.

Отмечается, что чипы Toshiba основаны на технологии 3D SLC (Single-Level-Cell) со сверхнизкой задержкой в 5 микросекунд. Это почти на порядок меньше, чем у 3D TLC NAND.

Новые накопители относятся к серии Goke 2311 и характеризуются задержкой случайного чтения блоков по 4K до 20 мкс. Серийные же версии получат латентность менее 15 мкс. Ёмкость накопителей будет достигать 4 ТБ, максимальная скорость записи составит 1 ГБ/с, а чтения — до 3 ГБ/с. Для обмена данными будут использоваться интерфейс PCI-E 3.0 x4 и фирменный контроллер.

Ожидается, что накопители Goke 2311 запустят в производство в 2020 году. Новинки будут поддерживать технологии шифрования SM2/3/4 и SHA-256/AES-256. Цены пока не уточняются.

Напомним, что новая память Intel Optane DC, как утверждается, сможет ускорить загрузку операционных систем и игр.