GlobalFoundries делает ставку на ReRAM

Технологии быстрой энергонезависимой памяти на сегодняшний день представлены преимущественно различными версиями NAND-микросхем, а также 3D XPoint. Но этим всё не ограничивается.

Компания GlobalFoundries сообщила о совместном с сингапурским технологическим университетом Nanyang и Национальным исследовательским фондом проекте. В рамках соглашения планируется разработать коммерческую версию встраиваемой резистивной оперативной памяти, или ReRAM. Как отмечается, работы займут четыре года и обойдутся в 88 миллионов долларов.

Новая память должна лечь в основу кэша большого объёма и обеспечить высокую скорость обмена данными для тех чипов, где требуется быстрая и ёмкая память. На текущий момент в этом качестве используется eFlash, однако такой тип памяти имеет ряд ограничений и сложностей в производстве. Альтернативой станет магниторезистивная ОЗУ (MRAM), а также ReRAM.

Отметим, что такой тип памяти может использоваться не только в качестве встроенной ОЗУ. В Western Digital экспериментируют с ReRAM в качестве долговременного энергонезависимого хранилища, по аналогии с Optane DC.

Появление коммерческих версий GlobalFoundries стоит ожидать только к середине десятилетия. Скорее всего, вариант WD появится примерно тогда же.