Началось производство памяти Samsung eUFS 3.1
В Samsung объявили о начале массового производства новой твердотельной флэш-памяти eUFS 3.1. Ёмкость чипов составляет 512 ГБ (есть также версии на 256 и 128 ГБ), эти модули планируется использовать в смартфонах, планшетах и так далее.
Отдельно отметим, что пиковая скорость последовательной записи для такой версии памяти равна 1200 МБ/с, а чтения — до 2100 МБ/с. Для сравнения, у версии eUFS 3.0 показатели составляют 410 МБ/с и 540 МБ/с соответственно.
В операциях чтения с произвольным доступом скорость заявлена на уровне 100 000 IOPS, а записи — 70 000 IOPS.
Память появится в широком ассортименте в этом году и станет основной для флагманских смартфонов компании. В будущем не исключено появление eUFS 3.1 и в моделях других производителей, а также в игровых мобильных решениях.