Intel, Micron работают над продвинутой флэш-память NAND

Компании Intel и Micron сообщили о завершении разработки новой флэш-памяти NAND с 3 битами в каждой ячейке (3-bit-per-cell или 3bpc). Многоуровневые чипы емкостью 32 гигабит (4 Гб) на основе новой технологии будут производиться по 34-нанометровому техпроцессу, лягут в основу будущих производительных SSD. Партнеры уверены, что 3bpc-память позволит вырваться в лидеры при дальнейшем уменьшении производственных норм. В данный момент совместное предприятие Intel и Micron - IM Flash Technologies – уже приступило к производству наиболее продвинутых в индустрии 32-гигабитных чипов памяти NAND 3bpc размером 126 квадратных миллиметров.