Март 2017
12345678910111213141516171819202122232425262728293031

Sony представила CMOS-сенсор с памятью DRAM для смартфонов

Такая камера может снимать FullHD-видео со скоростью 1000 кадров/с.
08.02.2017 19:58  | 
Sony представила CMOS-сенсор с памятью DRAM для смартфонов
Sony представила CMOS-сенсор с памятью DRAM для смартфонов

Компания Sony анонсировала трехслойный CMOS-сенсор для камер мобильных устройств, позволяющий снимать видео с разрешением 1080p на скорости 1000 кадров/с. Это возможно благодаря DRAM-буферу емкостью 1 Гбит, предназначенному для промежуточного хранения видеопотока без потери кадров.

Обычный CMOS-сенсор состоит из двух слоев: первый включает в себя фильтры и микролинзы, за которыми расположен датчик с обратной засветкой, а второй — набор управляющей логики. Специалисты Sony поместили между ними дополнительный слой с памятью DRAM, что позволяет камере записывать сразу два потока данных: обычный и высокоскоростной. К примеру, это можно использовать для съемки видео с элементами slo-mo.

Разрешение сенсора составляет 21,2 Мп (5520х3840 точек), диагональ — 7,33 мм (1/2,3). Помимо кратковременной записи видео со скоростью 1000 кадров/с, камера может делать до тридцати фотографий в секунду в разрешении 19,3 Мп или снимать видео 4K или Full HD при 60 и 240 fps соответственно.

Железные новости
Комментарии
Загрузка комментариев